硅电容器

结果:
322
Manufacturer
Series
Capacitance
Size / Dimension
Package / Case
Height
Voltage - Breakdown
ESR (Equivalent Series Resistance)
Operating Temperature
Applications
Tolerance
ESL (Equivalent Series Inductance)
Features
结果322
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型FeaturesApplicationsToleranceOperating TemperaturePackage / CaseCapacitanceSeriesVoltage - BreakdownESL (Equivalent Series Inductance)HeightSize / DimensionESR (Equivalent Series Resistance)
RFCS04022700CKTWS
CAP SILICON 2.7PF 50V 0402
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±10%
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
2.7 pF
RFCS
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04023900CJTWS
CAP SILICON 3.9PF 25V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±5%
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
3.9 pF
RFCS
25 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04024000DBTWS
CAP SILICON 0.4PF 50V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±0.1pF
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.4 pF
RFCS
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04025000DBGWS
CAP SILICON 0.5PF 50V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±0.1pF
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.5 pF
RFCS
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04024700CJTWS
CAP SILICON 4.7PF 25V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±5%
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
4.7 pF
RFCS
25 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04025000DBTWS
CAP SILICON 0.5PF 50V 0402
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±0.1pF
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.5 pF
RFCS
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04027000DBTWS
CAP SILICON 0.7PF 50V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±0.1pF
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.7 pF
RFCS
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04026800CJTWS
CAP SILICON 6.8PF 25V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±5%
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
6.8 pF
RFCS
25 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04025600CJTWS
CAP SILICON 5.6PF 25V 0402
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±5%
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
5.6 pF
RFCS
25 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04028000DBTWS
CAP SILICON 0.8PF 50V 0402
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±0.1pF
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.8 pF
RFCS
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04026000DBTWS
CAP SILICON 0.6PF 50V 0402
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±0.1pF
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.6 pF
RFCS
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04028200CJTWS
CAP SILICON 8.2PF 25V 0402
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±5%
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
8.2 pF
RFCS
25 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
935154634522-T3T
CAP SILICON 0.022UF 15% 50V 0504
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
High Reliability, Low Profile
High Stability, Vertical Silicon Cap, Wirebond
±15%
-55°C ~ 150°C
0504 (1210 Metric)
0.022 µF
UWSC
50 V
6pH
0.005" (0.12mm)
0.049" L x 0.039" W (1.25mm x 1.00mm)
14 mOhms
RFCS04029000DBTWS
CAP SILICON 0.9PF 50V 0402
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
±0.1pF
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.9 pF
RFCS
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
935153521410-T3T
CAP SILICON 1000PF 15% 150V 0202
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
High Reliability, Low Profile
High Stability, Vertical Silicon Cap, Wirebond
±15%
-55°C ~ 150°C
0202 (0505 Metric)
1000 pF
UWSC
150 V
6pH
0.011" (0.27mm)
0.020" L x 0.020" W (0.50mm x 0.50mm)
14 mOhms
SC01000710
CAP SILICON 10PF 20% 100V SMD
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
High Reliability
High Temperature
±20%
-65°C ~ 200°C
Nonstandard Chip
10 pF
SC
100 V
-
0.006" (0.15mm)
0.010" L x 0.010" W (0.25mm x 0.25mm)
-
SC01000912
CAP SILICON 10PF 20% SMD
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
High Reliability
High Temperature
±20%
-65°C ~ 200°C
Nonstandard
10 pF
SC
-
-
0.006" (0.15mm)
0.012" L x 0.012" W (0.30mm x 0.30mm)
-
MBC50-20B12
CAP SILICON 20PF 20% 50V SMD
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402 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
High Stability
±20%
-55°C ~ 200°C
Nonstandard Chip
20 pF
MBC50
50 V
-
0.179" (4.55mm)
1.417" L x 0.512" W (36.00mm x 13.00mm)
-
SC00260912
CAP SILICON 2.6PF 20% 100V SMD
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
High Reliability
High Temperature
±20%
-65°C ~ 200°C
Nonstandard Chip
2.6 pF
SC
100 V
-
0.006" (0.15mm)
0.012" L x 0.012" W (0.30mm x 0.30mm)
-
SC00380912
CAP SILICON 3.8PF 20% 100V SMD
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
High Reliability
High Temperature
±20%
-65°C ~ 200°C
Nonstandard Chip
3.8 pF
SC
100 V
-
0.006" (0.15mm)
0.012" L x 0.012" W (0.30mm x 0.30mm)
-

关于  硅电容器

硅和薄膜电容器是使用与半导体器件生产常见的工具、方法和材料制造的专用设备。这使得能够生产具有接近理想特性和出色参数稳定性的电容器。然而,这些电容器可用的数值范围有限且相对于陶瓷基电容器来说价格较高,后者是其主要竞争对手。 硅和薄膜电容器的制造过程允许对生产参数进行极高精度和控制。这导致电容器在电容值、电压额定值和其他电学特性方面表现出很好的稳定性。它们被设计为在时间和不同条件下维持其指定数值,因此适用于需要精确和可靠性能的应用。 尽管具有这些优点,与陶瓷基电容器相比,硅和薄膜电容器的可用电容值范围相对较窄。这种限制可能会限制它们在某些需要更多电容选项的应用中的使用。 此外,由于涉及专门的工艺和材料,硅和薄膜电容器的制造成本通常较高。因此,相对于陶瓷基替代品,这些电容器经常被认为成本更高。 总之,硅和薄膜电容器是使用半导体制造技术生产的电容器,可创造出具有接近理想特性和优异参数稳定性的电容器。虽然它们的电容值范围有限,但非常适合需要精确和可靠性能的应用。但是,在选择适当的电容器时,与陶瓷基电容器相比较高的成本是一个重要的考虑因素。